雪崩光電二極體反向電流的測量－紅花綻放

雪崩光電二極體（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極體。施加反向電壓時，能啟動其內部的增益機構。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場強度的作用下工作，光電流的雪崩倍增類似於鏈式反應。APD應用于對光信號需要高靈敏度的各種應用場合，例如光纖通訊、閃爍（scintillation）探測等。

　　對APD的測量一般包括擊穿電壓、回應度和反向偏置電流等。典型APD的最大額定電流為10^-4到10^-2 A，而其暗電流則可低達10^-12到10^-13A的範圍。最大反向偏置電壓隨APD的材料而變化，銦砷化鎵（InGaAs）材料的器件可達100V，矽材料的器件則可高達500V。

　　測試介紹

　　測量APD的反向偏置電流需要一種能夠在很寬範圍內測量電流並且能輸出掃描電壓的儀器。由於這種要求，吉時利6487型pico amper電壓源或者6430型亞飛安（Sub-Femtoamp）源-表等儀器對於這類測量工作是非常理想的。

　　圖4-19 所示為6430型亞飛安源-表連接到一個光電二極體上。該光電二極體安放在一個電遮罩的暗箱中。為了對敏感的電流測量進行遮罩，使其不受靜電干擾的影響，將此暗箱與6430型亞飛安源表的低端相連。

與反向掃描電壓的關係曲線，注意其電流測量的範圍很寬。隨著光的增強，雪崩區域變得更加明顯。擊穿電壓將引起電流自由流動，因為這時會形成電子空穴對，而不再需要光照射二極體來產生電流。

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